Параметры полупроводникового диода
1. Немного теории
В программе применяется глобальная модель полупроводникового диода без учета барьерной и диффузионной емкостей. В этом случае модель содержит:
- RB — объемное сопротивление полупроводника и контакта, обычно 0 < RB < 100 Ом;
- RC — омическое сопротивление утечки перехода полупроводника, обычно RС > 1 МОм;
- Rd — нелинейное сопротивление p–n перехода.
Характеристика Id = f(Ud) сопротивления Rd описывается следующим выражением:
,
где Is — ток насыщения диода (кремниевые диоды 10-12 < Is < 10-6 A, германиевые диоды 10-8 < Is < 10-2 A); q — заряд электрона; k — постоянная Больцмана; T — температура в градусах Кельвина; M — постоянная эмиссии (1,0 < M < 2,5).
Так как ток через диод экспоненциально зависит от напряжения на диоде, то для ограничения изменения напряжения p–n перехода во время итеративного решения методом Ньютона–Рафсона в программе применяется алгоритм, аналогичный принятому в SPICE 3f5 (file: devsup.c).
2. Окно редактирования параметров
Окно содержит следующие поля ввода: «Ток насыщения Is, A»; «Постоянная эмиссии M»; «Объемное сопротивление RB, Ом»; «Сопротивление утечки RC, Ом», в которых определяются параметры описанные выше.